1. Daniel Carvalho, Knut Müller-Caspary, Marco Schowalter, Tim Grieb, Thorsten Mehrtens, Andreas Rosenauer, Rafael Ben, Teresa Garcìa, Andrés Redondo-Cubero, Katharina Lorenz, Bruno Daudin, and Francisco M. Morales. Direct Measurement of Polarization-Induced Fields in GaN/AlN by Nano-Beam Electron Diffraction. Scientific Reports, 6:28459, June 2016. [doi:10.1038/srep28459] Keyword(s): DPC, strain, NBD, SANBED, nano-beam electron diffraction, polarization, polarisation, piezoelectric.



2. Matthias Lohr, Ralph Schregle, Michael Jetter, Clemens Wächter, Knut Müller-Caspary, Thorsten Mehrtens, Andreas Rosenauer, Ines Pietzonka, Martin Strassburg, and Josef Zweck. Quantitative measurements of internal electric fields with differential phase contrast microscopy on InGaN/GaN quantum well structures. physica status solidi (b), 253:140-144, 2016. ISSN: 1521-3951. [doi:10.1002/pssb.201552288] Keyword(s): DPC, Efficiency droop, EFTEM, electric fields, GaN, HAADF, IMFP, MQW, QCSE, quantification, STEM.



3. D. Gerthsen, B. Neubauer, A. Rosenauer, T. Stephan, H. Kalt, O. Schon, and M. Heuken. InGaN composition and growth rate during the early stages of metalorganic chemical vapor deposition. Applied Physics Letters, 79(16):2552-2554, 2001. ISSN: 0003-6951. [doi:10.1063/1.1409949] Keyword(s): III-V semiconductors, MOCVD, gallium compounds, indium compounds, lattice constants, photoluminescence, red shift, semiconductor growth, semiconductor quantum wells, spectral line intensity, transmission electron microscopy, wide band gap semiconductors, 6865Fg, 7855Cr, 7867De, 8107St, 8115Gh.

1. Patrick Karasch. Messung von Verspannungen und piezoelektrischen Feldern in InGaN/GaN Quantentrögen mittels Elektronenbeugung (Measurement of strain and piezoelectric fields in InGaN/GaN quantum wells by electron diffraction), August 2012.

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