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Publications about 'Rutherford backscattering'
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Articles in journal, book chapters
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A. Rath,
J. K. Dash,
R. R. Juluri,
M. Schowalter,
K. Müller,
A. Rosenauer,
and P. V. Satyam.
Nano scale phase separation in Au-Ge system on ultra clean Si (100) surfaces.
Journal of Applied Physics,
111:104319,
2012.
[WWW]
[doi:10.1063/1.4721666]
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J. K. Dash,
A. Rath,
R. R. Juluri,
P. Santhana Raman,
K. Müller,
A. Rosenauer,
and P. V. Satyam.
DC heating induced shape transformation of Ge structures on ultra clean Si (5 5 12) surfaces.
Journal of Physics: Condensed matter,
23:135002,
2011.
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K. Volz,
T. Torunski,
O. Rubel,
W. Stolz,
P. Kruse,
D. Gerthsen,
M. Schowalter,
and A. Rosenauer.
Annealing effects on the nanoscale indium and nitrogen distribution in Ga(NAs) and (GaIn)(NAs) quantum wells.
J. Appl. Phys.,
102(8):083504,
2007.
[WWW]
[doi:10.1063/1.2794739]
Keyword(s): annealing,
gallium arsenide,
gallium compounds,
III-V semiconductors,
impurity distribution,
indium compounds,
photoluminescence,
Rutherford backscattering,
semiconductor epitaxial layers,
semiconductor heterojunctions,
semiconductor quantum wells,
transmission electron microscopy.
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Marcus J. Kastner,
Gabriella Leo,
Doris Brunhuber,
Andreas Rosenauer,
Herbert Preis,
Berthold Hahn,
Markus Deufel,
and Wolfgang Gebhardt.
Investigations on strain relaxation of ZnS(x)Se(1−x) layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy.
Journal of Crystal Growth,
172(1-2):64-74,
1997.
ISSN: 0022-0248.
[WWW]
[doi:10.1016/S0022-0248(96)00722-1]
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Last modified: Wed Sep 21 12:45:12 2016
Author: knut.
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