1. T. Mehrtens, M. Schowalter, D. Tytko, P. Choi, D. Raabe, L. Hoffmann, H. Jönen, U. Rossow, A. Hangleiter, and A. Rosenauer. Measurement of the indium concentration in high indium content InGaN layers by scanning transmission electron microscopy and atom probe tomography. Applied Physics Letters, 102(13):132112, 2013. [WWW] [doi:10.1063/1.4799382] Keyword(s): gallium compounds, III-V semiconductors, indium compounds, light emitting diodes, quantum well lasers, scanning-transmission electron microscopy, semiconductor quantum wells, wide band gap semiconductors.



2. Thorsten Mehrtens, Stephanie Bley, Parlapalli Venkata Satyam, and Andreas Rosenauer. Optimization of the preparation of GaN-based specimens with low-energy ion milling for (S)TEM. Micron, 43(8):902-909, 2012. [WWW] Keyword(s): Scanning transmission electron microscopy, Focused ion beam, Argon ion milling, Low-energy ion milling, Stopping and range of ions in matter.



3. Knut Müller, Henning Ryll, Ivan Ordavo, Sebastian Ihle, Lothar Strüder, Kerstin Volz, Josef Zweck, Heike Soltau, and Andreas Rosenauer. Scanning transmission electron microscopy strain measurement from millisecond frames of a direct electron charge coupled device. Applied Physics Letters, 101(21):212110, 2012. [WWW] [doi:10.1063/1.4767655] Keyword(s): CCD image sensors, electron detection, electron probes, nanostructured materials, scanning-transmission electron microscopy, semiconductor materials, strain measurement.

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