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Publications about 'semiconductor materials'
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Articles in journal, book chapters
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Knut Müller,
Henning Ryll,
Ivan Ordavo,
Sebastian Ihle,
Lothar Strüder,
Kerstin Volz,
Josef Zweck,
Heike Soltau,
and Andreas Rosenauer.
Scanning transmission electron microscopy strain measurement from millisecond frames of a direct electron charge coupled device.
Applied Physics Letters,
101(21):212110,
2012.
[WWW]
[doi:10.1063/1.4767655]
Keyword(s): CCD image sensors,
electron detection,
electron probes,
nanostructured materials,
scanning-transmission electron microscopy,
semiconductor materials,
strain measurement.
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A. Rosenauer,
T. Remmele,
D. Gerthsen,
K. Tillmann,
and A. Förster.
Atomic scale strain measurements by the digital analysis of transmission electron microscopic lattice images.
Optik (Stuttgart),
105(3):99-107,
1997.
Note: Eng.
ISSN: 0030-4026.
[WWW]
Keyword(s): Experimental study,
TEM,
Electron microscopy,
High-resolution methods,
Measuring methods,
Stress analysis,
Layer thickness,
Crystals,
Semiconductor materials.
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R. Fritz,
A. Beyer,
W. Stolz,
O. Rubel,
T. Grieb,
K. Müller,
M. Schowalter,
A. Rosenauer,
I. Häusler,
A. Mogilatenko,
H. Kirmse,
W. Neumann,
and K. Volz.
HAADF-STEM in a JEOL 2200FS for quantitative analysis of composition in compound III/V semiconductor materials.
In W. Jäger,
W. Kaysser,
W. Benecke,
W. Depmeier,
S. Gorb,
L. Kienle,
M. Mulisch,
D. Häussler,
and A. Lotnyk, editors,
Proceedings of the Microscopy Conference 2011 (MC 2011, Kiel),
volume 1: Instrumentation and Methods,
pages IM2.P130,
2011.
DGE - German Society for Electron Microscopy.
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Last modified: Wed Sep 21 12:45:12 2016
Author: knut.
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